Dr Stéphane AZZOPARDI

Titulaire d’un diplôme d’ingénieur de l’Institut National des Sciences Appliquées (INSA) de Toulouse, ainsi que d’un diplôme d’étude approfondi (DEA) de l’Université Paul Sabatier de Toulouse, obtenus en 1993. En 1998, il accède au titre de docteur en électronique de l’Université des Sciences et Technologies de Bordeaux, ayant travaillé sur le fonctionnement des IGBT à haute température dans des conditions électriques conventionnelles et anormales pour des applications automobiles. Après un post-doctorat consacré à l’évaluation des IGBT en commutation dure et douce, qui s’est déroulé à l’Université Nationale de Yokohama (Japon) en collaboration avec Mitsubishi Power Semiconductor, en 2003, il devient maître de conférences à l’École Nationale Supérieure d’Électronique, Informatique et Radiocommunication de Bordeaux, et est rattaché au laboratoire du CNRS sur l’intégration du matériau au système (IMS). Il a mené des recherches sur l’évaluation de la fiabilité des modules de puissance pour les IGBT silicium et les semi-conducteurs de puissance SiC. En 2013, il obtient son habilitation à diriger les recherches de l’Université de Bordeaux. En septembre 2015, il rejoint le Centre de Recherche et Technologie du groupe Safran (Safran Tech) à Paris, et prend la responsabilité de l’équipe de recherche « Électronique de puissance » avec un focus spécifique sur les thématiques de l’Avion Plus Électrique et de la Propulsion Plus Électrique. En tant qu’expert groupe sur les modules de puissance, ses recherches se concentrent sur les composants à semi-conducteurs de puissance à large bande interdite et les solutions d’assemblages de puissance en rupture pour la prochaine génération de modules de puissance destinés aux applications aéronautiques.